CCP等離子刻蝕機(jī)/科研型介質(zhì)刻蝕機(jī)

簡(jiǎn)要描述：CCP等離子刻蝕機(jī)/科研型介質(zhì)刻蝕機(jī)是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶(hù)使用需求設(shè)計(jì)的高性?xún)r(jià)比CCP等離子介質(zhì)刻蝕機(jī)系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng)，作為一個(gè)多功能系統(tǒng)，它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，專(zhuān)業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使察該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)性良好。

產(chǎn)品型號(hào)：CCP-150
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2026-01-05
訪問(wèn) 量：2709

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Product classification

等離子刻蝕機(jī)

科研型等離子刻蝕機(jī)

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詳細(xì)介紹

品牌	PLUTOVAC	顏色	白色
類(lèi)別	CCP刻蝕	電源	220V

　　CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)(Plasma Etcher)是一種常用于微納米加工領(lǐng)域的設(shè)備，用于對(duì)半導(dǎo)體器件、光學(xué)元件、生物芯片等材料進(jìn)行精細(xì)加工和圖案定義。其原理基于等離子體技術(shù)，通過(guò)將氣體放電產(chǎn)生等離子體，利用等離子體中的離子和自由基對(duì)材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理刻蝕。工作原理：

1.將氣體(如氟化氣體)引入反應(yīng)室，通過(guò)射頻(RF)功率源或微波源等方式對(duì)氣體進(jìn)行放電。放電過(guò)程中產(chǎn)生的電場(chǎng)和能量激發(fā)氣體分子，形成等離子體。

2.氣體分子被激發(fā)成離子、電子和自由基等活性物種。這些活性物種對(duì)材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，如氟化、氧化、硅化等，從而改變表面化學(xué)性質(zhì)。

3.離子和自由基對(duì)材料表面施加能量，導(dǎo)致材料表面原子或分子的脫除。這種物理刻蝕過(guò)程使材料表面逐漸被剝離，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的精細(xì)加工和圖案定義。

4.通過(guò)控制氣體種類(lèi)、放電功率、反應(yīng)室壓力等參數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同材料的選擇性刻蝕。例如，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)硅、氮化硅、氧化硅等材料的選擇性刻蝕。

5.通常還配備真空系統(tǒng)、溫度控制系統(tǒng)、氣體流控制系統(tǒng)等輔助功能，以確?？涛g過(guò)程的穩(wěn)定性和可控性。

CCP等離子刻蝕機(jī)/科研型介質(zhì)刻蝕機(jī)

CCP等離子刻蝕機(jī)/科研型介質(zhì)刻蝕機(jī)是面向科研及企業(yè)研發(fā)客戶(hù)使用需求設(shè)計(jì)的高性?xún)r(jià)比CCP等離子體系統(tǒng)。作為一個(gè)多功能系統(tǒng)，它通過(guò)優(yōu)化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)與靈活的配置方案，獲得高性能CCP刻蝕工藝。該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊占地面積小，業(yè)的機(jī)械設(shè)計(jì)與優(yōu)化的自動(dòng)化操作軟件使該設(shè)備操作簡(jiǎn)便、安全，且工藝穩(wěn)定重復(fù)性佳。

　　CCP刻蝕是一種常用的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造、光學(xué)器件制造，生物芯片制造等域。其原理是利用高頻交變電場(chǎng)產(chǎn)生等離子體，在等離子體的作用下將材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)和物理碰撞，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的刻蝕。

　　CCP等離子刻蝕機(jī)刻蝕系統(tǒng)通過(guò)電容耦合(CCP)方式產(chǎn)生高密度等離子體，按掩膜(例如光刻膠掩膜)圖形、實(shí)現(xiàn)對(duì)介質(zhì)材料(例如氧化硅SiO2、氮化硅SiNx等)的選擇性刻蝕。

　　CCP系統(tǒng)主要由以下幾部分組成：反應(yīng)腔室、下電、噴淋頭(上電)、射頻電源、真空系統(tǒng)、預(yù)真空室、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)與軟件、配套附件等。

　　WINETCH等離子刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點(diǎn)：

　　-刻蝕形貌好、工藝性能*

　　-高選擇比、高刻蝕速率

　　-低擁有成本和消耗成本

CCP等離子刻蝕機(jī)/科研型介質(zhì)刻蝕機(jī)

　　CCP等離子刻蝕機(jī)/科研型介質(zhì)刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù)：

　　晶圓尺寸：4寸兼容

　　適用工藝：等離子體刻蝕

　　適用材料：SiO2，Si3N4，etc.

適用域: 化合物半導(dǎo)體、MEMS、功率器件、科研等域

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